NAND01GW3M2BZB5F
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STMicroelectronics NAND01GW3M2BZB5F

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型号

NAND01GW3M2BZB5F

utmel 编号

2381-NAND01GW3M2BZB5F

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-137

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NAND01GW3M2BZB5F
NAND01GW3M2BZB5F STMicroelectronics 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-137

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NAND01GW3M2BZB5F详情

STMicroelectronics NAND01GW3M2BZB5F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    137

  • Manufacturer Part Number

    NAND01GW3M2BZB5F

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Part Package Code

    BGA

  • Package Description

    10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-137

  • Risk Rank

    5.16

  • Number of Words

    134217728 words

  • Number of Words Code

    128000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -30 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA137,10X15,32

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • 附加功能

    LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 32

  • HTS代码

    8542.32.00.71

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    137

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B137

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    3 V

  • 温度等级

    商业扩展

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.5 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    128MX8

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • 内存IC类型

    存储器电路

  • 混合内存类型

    FLASH+SDRAM

  • 长度

    13 mm

  • 宽度

    10.5 mm

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技术文档: STMicroelectronics NAND01GW3M2BZB5F.

NAND01GW3M2BZB5F拓展信息

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