STMicroelectronics NAND02GR3B2AZB6E
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NAND02GR3B2AZB6E
2381-NAND02GR3B2AZB6E
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NAND02GR3B2AZB6E详情
STMicroelectronics NAND02GR3B2AZB6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Access Time-Max
25000 ns
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Manufacturer
STMicroelectronics
Manufacturer Part Number
NAND02GR3B2AZB6E
Number of Words
268435456 words
Number of Words Code
256000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Description
TFBGA, BGA63,10X12,32
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Part Life Cycle Code
Transferred
Part Package Code
BGA
Reflow Temperature-Max (s)
30
Risk Rank
5.33
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
256MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
2147483648 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
128K
页面尺寸
2K words
准备就绪/忙碌
YES
长度
12 mm
宽度
9.5 mm
NAND02GR3B2AZB6E拓展信息







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