STMicroelectronics NAND02GW3B2CN6
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NAND02GW3B2CN6
2381-NAND02GW3B2CN6
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256MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
--最小包装量--
NAND02GW3B2CN6详情
STMicroelectronics NAND02GW3B2CN6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
TSSOP,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
NAND02GW3B2CN6
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.83
Part Package Code
TSOP
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
256MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
2147483648 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
NAND02GW3B2CN6拓展信息







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