STMicroelectronics NAND08GW3B2AN6F
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NAND08GW3B2AN6F
2381-NAND08GW3B2AN6F
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NAND Flash 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V
1最小包装量--
NAND08GW3B2AN6F详情
STMicroelectronics NAND08GW3B2AN6F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
CTS
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Package Description
TSOP1, TSSOP48,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
1000000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
25000 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NAND08GW3B2AN6F
Number of Words
1073741824 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Risk Rank
5.63
Part Package Code
TSOP
系列
526
包装
Reel
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
Oscillators
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
1GX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
产品类别
TCXO
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
8589934592 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
输出格式
HCMOS
编程电压
3 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8K
行业规模
128K
页面尺寸
2K words
准备就绪/忙碌
YES
产品类别
TCXO 振荡器
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
NAND08GW3B2AN6F拓展信息
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