STMicroelectronics NAND08GW3B2CN6
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NAND08GW3B2CN6
2381-NAND08GW3B2CN6
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1GX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
--最小包装量--
NAND08GW3B2CN6详情
STMicroelectronics NAND08GW3B2CN6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
TSSOP,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
1000000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
NAND08GW3B2CN6
Number of Words
1073741824 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.35
Part Package Code
TSOP
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
1GX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
8589934592 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
NAND08GW3B2CN6拓展信息







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