STMicroelectronics NAND256W3A2BN6F
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NAND256W3A2BN6F
2381-NAND256W3A2BN6F
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP
--最小包装量--
NAND256W3A2BN6F详情
STMicroelectronics NAND256W3A2BN6F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3/e6
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
TIN/TIN BISMUTH
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 额定直流
3V
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
NAND256
引脚数量
48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
256Mb 32M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
32MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
待机电流-最大值
0.00005A
记忆密度
268435456 bit
访问时间(最大)
12000 ns
编程电压
3V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
16K
页面尺寸
512words
准备就绪/忙碌
YES
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND256W3A2BN6F拓展信息
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