STMicroelectronics NAND512R3A2AZA6E
- 收藏
- 对比
NAND512R3A2AZA6E
2381-NAND512R3A2AZA6E
存储器
55-TFBGA
大陆
立即发货

IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
1最小包装量--
NAND512R3A2AZA6E详情
STMicroelectronics NAND512R3A2AZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
55-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
55
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
NAND512
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
60ns
待机电流-最大值
0.00005A
记忆密度
536870912 bit
访问时间(最大)
15000 ns
编程电压
1.8V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
512words
准备就绪/忙碌
YES
长度
11mm
座位高度(最大)
1.05mm
宽度
9mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NAND512R3A2AZA6E拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics







哦! 它是空的。