STMicroelectronics NAND512R3A2CZA6E
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NAND512R3A2CZA6E
2381-NAND512R3A2CZA6E
存储器
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SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA Tray
1最小包装量--
NAND512R3A2CZA6E详情
STMicroelectronics NAND512R3A2CZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
64
Access Time-Max
45 ns
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Manufacturer
Micron Technology Inc
Manufacturer Part Number
NAND512R3A2CZA6E
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
FBGA
Package Equivalence Code
BGA64,10X12,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Part Life Cycle Code
Obsolete
Risk Rank
5.81
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
类型
SLC NAND类型
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B64
资历状况
不合格
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
64MX8
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
512 words
准备就绪/忙碌
YES
NAND512R3A2CZA6E拓展信息
STMicroelectronics
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