STMicroelectronics NAND512R4M5AZB5E

表面安装

YES

终端数量

149

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Manufacturer

STMicroelectronics

Manufacturer Part Number

NAND512R4M5AZB5E

Number of Words

33554432 words

Number of Words Code

32000000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-30 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TFBGA

Package Description

10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-149

Package Equivalence Code

BGA149,12X16,32

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Part Life Cycle Code

Transferred

Part Package Code

BGA

Reflow Temperature-Max (s)

40

Risk Rank

5.17

Rohs Code

有

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

附加功能

LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 16

HTS代码

8542.32.00.71

子类别

其他存储器集成电路

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

149

JESD-30代码

R-PBGA-B149

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.95 V

电源

1.8 V

温度等级

商业扩展

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

组织结构

32MX16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

记忆密度

536870912 bit

内存IC类型

存储器电路

混合内存类型

FLASH+SDRAM

长度

13.5 mm

宽度

10 mm