NAND512W3A2BN6E
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STMicroelectronics NAND512W3A2BN6E

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型号

NAND512W3A2BN6E

utmel 编号

2381-NAND512W3A2BN6E

商品类别

存储器

封装

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

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NAND512W3A2BN6E STMicroelectronics IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

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NAND512W3A2BN6E详情

STMicroelectronics NAND512W3A2BN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e6

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • ECCN 代码

    3A991.B.1.A

  • 端子表面处理

    锡铋

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 基本部件号

    NAND512

  • 引脚数量

    48

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源

    3/3.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7V

  • 内存大小

    512Mb 64M x 8

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8b

  • 组织结构

    64MX8

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    50ns

  • 待机电流-最大值

    0.00005A

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • 访问时间(最大)

    12000 ns

  • 编程电压

    3V

  • 数据轮询

    NO

  • 拨动位

    NO

  • 命令用户界面

    YES

  • 扇区/尺寸数

    4K

  • 行业规模

    16K

  • 页面尺寸

    512words

  • 准备就绪/忙碌

    YES

  • 长度

    18.4mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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NAND512W3A2BN6E拓展信息

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