STMicroelectronics NAND512W3A2BN6E
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NAND512W3A2BN6E
2381-NAND512W3A2BN6E
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
--最小包装量--
NAND512W3A2BN6E详情
STMicroelectronics NAND512W3A2BN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e6
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
锡铋
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
基本部件号
NAND512
引脚数量
48
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
3/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
64MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
待机电流-最大值
0.00005A
记忆密度
536870912 bit
访问时间(最大)
12000 ns
编程电压
3V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
512words
准备就绪/忙碌
YES
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NAND512W3A2BN6E拓展信息
STMicroelectronics
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