STMicroelectronics NAND512W3A2CZA6E
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NAND512W3A2CZA6E
2381-NAND512W3A2CZA6E
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64MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63
--最小包装量--
NAND512W3A2CZA6E详情
STMicroelectronics NAND512W3A2CZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
64
RoHS
Non-Compliant
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA64,10X12,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NAND512W3A2CZA6E
Number of Words
67108864 words
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.81
类型
SLC NAND类型
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B64
资历状况
不合格
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
64MX8
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
512 words
准备就绪/忙碌
YES
NAND512W3A2CZA6E拓展信息







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