STMicroelectronics SD1455
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SD1455
2381-SD1455
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
1最小包装量--
SD1455详情
STMicroelectronics SD1455重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
hFEMin
20
RoHS
Compliant
系列
*
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
140 W
频率
230 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
230 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
35 V
最大集电极电流
8 A
集电极基极电压(VCBO)
65 V
发射极基极电压 (VEBO)
4 V
连续集电极电流
8 A
宽度
12.83 mm
高度
18.29 mm
长度
12.83 mm
SD1455拓展信息







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