我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STMicroelectronics SD1729
- 收藏
- 对比
SD1729
2381-SD1729
无类别的
--
大陆
立即发货
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
SD1729详情
STMicroelectronics SD1729重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Compliant
hFEMin
18
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
175 W
频率
30 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
30 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
35 V
最大集电极电流
12 A
集电极基极电压(VCBO)
70 V
发射极基极电压 (VEBO)
4 V
连续集电极电流
12 A
宽度
12.83 mm
高度
7.11 mm
长度
24.89 mm
SD1729拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。