STMicroelectronics STB190NF04-1
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STB190NF04-1
2381-STB190NF04-1
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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120A, 40V, 0.0043ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
1最小包装量--
STB190NF04-1详情
STMicroelectronics STB190NF04-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
TO-262AA
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
120 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0043 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
860 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
310 W
STB190NF04-1拓展信息
Thomson-CSF Compsants Specific
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