STMicroelectronics STGB10NC60KD
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STGB10NC60KD
2381-STGB10NC60KD
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
--最小包装量--
STGB10NC60KD详情
STMicroelectronics STGB10NC60KD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
20 A
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
STGB10NC60KD拓展信息







哦! 它是空的。