STMicroelectronics STGB20NB32LZT4
- 收藏
- 对比
STGB20NB32LZT4
2381-STGB20NB32LZT4
分立半导体产品
--
大陆
立即发货

40A, 325V, N-CHANNEL IGBT, TO-263, D2PAK-3
1最小包装量--
STGB20NB32LZT4详情
STMicroelectronics STGB20NB32LZT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
28 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
150 W
集电极发射器电压(VCEO)
2 V
最大集电极电流
40 A
辐射硬化
无
STGB20NB32LZT4拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics







哦! 它是空的。