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STMicroelectronics STGD7NB60H
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STGD7NB60H
2381-STGD7NB60H
分立半导体产品
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大陆
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14A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
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STGD7NB60H详情
STMicroelectronics STGD7NB60H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
55 W
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
14 A
STGD7NB60H拓展信息
STMicroelectronics
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公司资质
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