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STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG
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STGHU30M65DF2AG
2381-STGHU30M65DF2AG
晶体管 - IGBT - 阵列
HU3PAK-7
大陆
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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STGHU30M65DF2AG详情
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
HU3PAK-7
RoHS
符合RoHS标准
Mounting Styles
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
87 A
Pd - Power Dissipation
441 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Qualification
AEC-Q101
Continuous Collector Current Ic Max
57 A
Gate-Emitter Leakage Current
250 nA
Factory Pack Quantity
600
Unit Weight
0.081836 oz
包装
Reel
配置
Single
STGHU30M65DF2AG拓展信息
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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