STMicroelectronics STGPL6NC60D
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STGPL6NC60D
2381-STGPL6NC60D
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT 600V 14A 56W TO220
--最小包装量--
STGPL6NC60D详情
STMicroelectronics STGPL6NC60D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Current-Collector (Ic) (Max)
14A
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 3A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
56W
基本部件号
STGPL6
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
42A
反向恢复时间
50ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大击穿电压
600V
接通时间
10.5 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 15V, 3A
关断时间-标准值(toff)
122 ns
闸门收费
12nC
集极脉冲电流(Icm)
18A
Td(开/关)@25°C
6.7ns/46ns
开关能量
46.5μJ (on), 23.5μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGPL6NC60D拓展信息
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