注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.827189
10
¥7.384139
100
¥6.966166
500
¥6.571857
1000
¥6.199869
STMicroelectronics STI47N60DM6AG
- 收藏
- 对比
¥
总价: ¥
STI47N60DM6AG详情
STMicroelectronics STI47N60DM6AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Max.)
150°C
Operating Temperature (Min.)
-55°C
Number of Elements
1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
基本部件号
STI47N
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
36A
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
137A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
700 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250W
RoHS状态
符合RoHS标准
STI47N60DM6AG拓展信息







哦! 它是空的。