STMicroelectronics VN1116N2
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VN1116N2
2381-VN1116N2
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VN1116N2详情
STMicroelectronics VN1116N2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Panduit Corp
Product Status
Obsolete
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
VN1116N2
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microchip Technology Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.4
Drain Current-Max (ID)
1 A
系列
-
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
高输入阻抗
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-39
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1 A
漏极-源极导通最大电阻
3 Ω
DS 击穿电压-最小值
160 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
4 W
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
VN1116N2拓展信息







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