STMicroelectronics WS57C191C-45P
- 收藏
- 对比
WS57C191C-45P
2381-WS57C191C-45P
无类别的
--
大陆
立即发货

0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
1最小包装量--
WS57C191C-45P详情
STMicroelectronics WS57C191C-45P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
24
Package Description
0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
Package Style
IN-LINE, WINDOW
Number of Words Code
2000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP24,.6
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
WS57C191C-45P
Part Package Code
DIP
Risk Rank
5.75
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
STMicroelectronics
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
WDIP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
2048 words
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
OTP ROM
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
24
JESD-30代码
R-PDIP-T24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
2KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.83 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.025 A
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
OTP ROM
编程电压
12.75 V
宽度
15.24 mm
长度
31.75 mm
WS57C191C-45P拓展信息







哦! 它是空的。