STMicroelectronics WS57C51C-45J

触点镀层

Lead, Tin

表面安装

YES

质量

5.499807 mg

终端数量

32

Voltage, Rating

150 V

Voltage Rating (DC)

150 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

PLASTIC, LDCC-32

Package Style

CHIP CARRIER, WINDOW

Number of Words Code

16000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC32,.5X.6

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

WS57C51C-45J

Number of Words

16384 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

WQCCJ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

STMicroelectronics

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Risk Rank

5.74

Part Package Code

QFN

包装

Tape & Reel (TR)

容差

1 %

JESD-609代码

e0

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

1.62 MΩ

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

厚膜

HTS代码

8542.32.00.71

子类别

OTP ROM

额定功率

125 mW

最大功率耗散

125 mW

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

深度

1.25 mm

Reach合规守则

not_compliant

军用标准

Not

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PQCC-J32

资历状况

不合格

箱码（公制）

2012

箱码（英制）

0805

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.139 mA

组织结构

16KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

3.56 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

131072 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

OTP ROM

特征

Automotive AEC-Q200

宽度

1.2446 mm

高度

508 µm

长度

2 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅