EGNB010MK
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SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd EGNB010MK

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型号

EGNB010MK

utmel 编号

2388-EGNB010MK

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL-CERAMIC PACKAGE-2

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EGNB010MK SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL-CERAMIC PACKAGE-2

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EGNB010MK详情

SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd EGNB010MK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    氮化镓

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    120 V

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 最高频段

    S带

0个相似型号

技术文档: SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd EGNB010MK.

EGNB010MK拓展信息

FLM1213-4F
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SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

EGNC105MK
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SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

FHX45X
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SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

ELM5964-4PST
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SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd

EGN28B200IV-R
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EGNB090MK
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SGK5867-60A
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SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd

EGN29B100IV-R
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SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

SGN19C210I2D
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SGN21C105MK
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