SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd FLM0910-12F
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FLM0910-12F
2388-FLM0910-12F
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, CASE IB, 2 PIN
1最小包装量--
FLM0910-12F详情
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd FLM0910-12F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
砷化镓
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
4.5 A
Manufacturer Package Code
CASE IB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
10 V
场效应管技术
JUNCTION
最高频段
X 频带
FLM0910-12F拓展信息
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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