SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd FLM1011-8F
- 收藏
- 对比
FLM1011-8F
2388-FLM1011-8F
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN
1最小包装量--
FLM1011-8F详情
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd FLM1011-8F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
砷化镓
外壳材料
1
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Drain Current-Max (ID)
2.6 A
Manufacturer Package Code
CASE IB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Ihs Manufacturer
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
有
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
15 V
场效应管技术
JUNCTION
最高频段
Ku波段
FLM1011-8F拓展信息
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc







哦! 它是空的。