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Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd SSF2122E

Name: SSF2122E
Brand: Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
SKU: 1475-SSF2122E
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSF2122E

品牌

Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd

utmel 编号

1475-SSF2122E

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN3X3-8L, 8 PIN

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SSF2122E Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN3X3-8L, 8 PIN

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SSF2122E详情

技术参数

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Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd SSF2122E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

GOOD-ARK ELECTRONICS CO LTD
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Drain Current-Max (ID)

7 A
Number of Elements

2
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
附加功能

超低电阻
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PDSO-F8
配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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