Taiwan Semiconductor 1N4733G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N4733G

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.03

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reference Voltage-Nom

5.1 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

1 W

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

49 mA

正向电压

1 V

齐纳电压

5.1 V

最大电压允差

5%

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

49 mA

最大击穿电压

53.6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V