Taiwan Semiconductor 1N4736G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial, Can - Snap-In - 3 Lead

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

表面贴装的焊盘尺寸

--

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rated

250V

Lifetime @ Temp.

3000 Hrs @ 105°C

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

6.8 V

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N4736G

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.01

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

B43504

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.984 Dia (25.00mm)

容差

±20%

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

电容量

330µF

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

390 mOhm @ 100Hz

极性

UNIDIRECTIONAL

引线间距

0.394 (10.00mm)

配置

SINGLE

极化

Polar

阻抗

470 mOhms

二极管类型

泽纳电极

纹波电流@低频

1.2A @ 100Hz

功率耗散

1 W

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

37 mA

正向电压

1 V

齐纳电压

6.8 V

最大电压允差

5%

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

37 mA

最大击穿电压

53.6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V

座位高度(最大)

1.260 (32.00mm)

评级结果

--