Taiwan Semiconductor 1N4742G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SG-8101

厂商

EPSON

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

12 V

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N4742G

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.27

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SG-8101

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

技术

ZENER

电压 - 供电

1.8V ~ 3.3V

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

156.25875 MHz

频率稳定性

±15ppm

输出量

CMOS

JESD-30代码

O-LALF-W2

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

Crystal

最大电流源

6.8mA (Typ)

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

电流 - 电源（禁用）（最大值）

1.1µA

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

1 W

箱体转运

ISOLATED

扩频带宽

-

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

21 mA

正向电压

1 V

齐纳电压

12 V

最大电压允差

5%

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

21 mA

最大击穿电压

53.6 V

绝对牵引范围 (APR)

-

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V

座位高度(最大)

0.047 (1.20mm)

评级结果

-