Taiwan Semiconductor 1N5408 R0

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

材料

Si

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

ECCN (US)

EAR99

HTS

8541.10.00.80

Maximum DC Reverse Voltage (V)

1000

Peak Reverse Repetitive Voltage (V)

1000

Maximum Continuous Forward Current (A)

3

Peak Non-Repetitive Surge Current (A)

200

Peak Forward Voltage (V)

1

Peak Reverse Current (uA)

5

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Standard Package Name

DO-201-AD

Supplier Package

DO-201AD

Military

无

Mounting

通孔

Package Length

9.5(Max)

PCB changed

2

Lead Shape

通孔

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N5408R0

Package Shape

ROUND

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Risk Rank

5.01

包装

卷带

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

EFFICIENCY

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

配置

Single

元素配置

Single

二极管类型

接收电极

箱体转运

ISOLATED

正向电流

3 A

输出电流-最大值

3 A

正向电压

1 V

相位的数量

1

峰值反向电流

5 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

1 kV

Rep Pk反向电压-最大值

1000 V

JEDEC-95代码

DO-201AD

峰值非恢复性浪涌电流

200 A

最大非代表Pk前进电流

200 A

反向电流-最大值

5 µA

最大正向浪涌电流（Ifsm）

200 A

直径

5.6(Max)

宽度

5.6 mm

高度

5.6 mm

长度

9.5 mm

RoHS状态

是,有豁免