Taiwan Semiconductor 1PGSMB5955M4G
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1PGSMB5955M4G详情
Taiwan Semiconductor 1PGSMB5955M4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
1PGSMB5955M4G
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Package Description
R-PDSO-C2
Risk Rank
5.77
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
3 W
Reference Voltage-Nom
180 V
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-C2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-214AA
工作测试电流
2.1 mA
反向电流-最大值
1 µA
动态阻抗-最大值
900 Ω
反向测试电压
136.8 V
膝阻抗-最大
7000 Ω
1PGSMB5955M4G拓展信息








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