Taiwan Semiconductor 2M200Z

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

DO-15-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-204AC (DO-15)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Ir - Reverse Current

1 uA

Zz - Zener Impedance

900 Ohms

Pd - Power Dissipation

2 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.012346 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3500

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

200 V

RoHS

Details

Voltage Temperature Coefficient

-

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

2M200

Impedance (Max) (Zzt)

900 Ohms

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reference Voltage-Nom

200 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

2M200Z

Power Dissipation (Max)

2 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.69

系列

2MxxxZ

包装

切割胶带

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

容差

±5%

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

PURE TIN

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

阻抗

900 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 152 V

功率耗散

2 W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

2 W

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

2.5 mA

正向电压

1 V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

200 V

齐纳电压

200 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

JEDEC-95代码

DO-15

工作测试电流

2.5 mA

电压允差

5 %

最大击穿电压

53.6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

齐纳电流

1 uA

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V

Vf-正向电压

-

产品类别

齐纳二极管

宽度

-

高度

-

长度

7.6 mm

直径

3.6 mm