Taiwan Semiconductor BC337-40 A1

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件包装

TO-92

Product Status

活跃

厂商

PEI-Genesis

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

5.1 x 4.1 x 4.7mm

Package Type

TO-92

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Maximum DC Collector Current

800 mA

Minimum DC Current Gain

250

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

625 mW

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Saturation Voltage

700 mV

Unit Weight

0.016000 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4000

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

100 MHz

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

弹药包

子类别

Transistors

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率 - 最大

625 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT