Taiwan Semiconductor BC549C A1
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BC549C A1
2436-BC549C A1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
4-SMD, No Lead
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TRANS NPN 30V 0.1A TO92
1最小包装量--
BC549C A1详情
Taiwan Semiconductor BC549C A1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
TO-92
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Package Type
TO-92
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
Minimum DC Current Gain
420
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
500 mW
Transistor Polarity
NPN
Collector-Emitter Saturation Voltage
-
Unit Weight
0.016000 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
4000
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
操作温度
-30°C ~ 85°C
系列
SXT224
包装
弹药包
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
类型
兆赫晶体
子类别
Transistors
技术
Si
频率
37.4 MHz
频率稳定性
±50ppm
引脚数量
3
ESR(等效串联电阻)
60 Ohms
配置
Single
负载电容
20pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±20ppm
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
30 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
0.026 (0.65mm)
评级结果
-
BC549C A1拓展信息
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor
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