BC847C
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Taiwan Semiconductor BC847C

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型号

BC847C

utmel 编号

2436-BC847C

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NPN Bipolar Transistor, 45V

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BC847C
BC847C Taiwan Semiconductor NPN Bipolar Transistor, 45V

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BC847C详情

Taiwan Semiconductor BC847C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Package

    零售包装

  • 厂商

    Glenair

  • Product Status

    活跃

  • Manufacturer

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500 mV

  • Breakdown Voltage / V

    51 V

  • Reverse Stand-off Voltage

    24 V

  • hFEMin

    420

  • Manufacturer Lifecycle Status

    ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Compliant

  • 系列

    *

  • 包装

    SOT-23

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    250 mW

  • 极性

    NPN

  • 通道数量

    2

  • 电压

    VCEO - 45V

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200 mW

  • 最大反向漏电电流

    1 µA

  • 箝位电压

    70.1 V

  • 峰值脉冲电流

    21.4 A

  • 峰值脉冲功率

    1.5 kW

  • 测试电流

    2.5 mA

  • 增益带宽积

    100 MHz

  • 漏源电压 (Vdss)

    -60 V

  • 正向电压

    1 V

  • 齐纳电压

    75 V

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 反向恢复时间

    50 ns

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    250 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -1.5 V

  • 输入电容

    436 pF

  • 最大击穿电压

    9.8 V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6 V

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    2.5 A

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 连续集电极电流

    100 mA

  • 最小击穿电压

    25.4 V

  • 宽度

    1.4 mm

  • 高度

    1.2 mm

  • 长度

    3 mm

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BC847C拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS