Taiwan Semiconductor BC847C
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BC847C详情
Taiwan Semiconductor BC847C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
引脚数
3
Package
零售包装
厂商
Glenair
Product Status
活跃
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
24 V
hFEMin
420
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
系列
*
包装
SOT-23
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
NPN
通道数量
2
电压
VCEO - 45V
元素配置
Single
功率耗散
200 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
2.5 mA
增益带宽积
100 MHz
漏源电压 (Vdss)
-60 V
正向电压
1 V
齐纳电压
75 V
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
最大集电极电流
100 mA
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
栅极至源极电压(Vgs)
-1.5 V
输入电容
436 pF
最大击穿电压
9.8 V
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
连续集电极电流
100 mA
最小击穿电压
25.4 V
宽度
1.4 mm
高度
1.2 mm
长度
3 mm
BC847C拓展信息








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