Taiwan Semiconductor BC857BW RF
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BC857BW RF
2436-BC857BW RF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
0603 (1608 Metric)
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Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW
1最小包装量--
BC857BW RF详情
Taiwan Semiconductor BC857BW RF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
0603
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
RS73F1JRT
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BC857BWRF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
台湾半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.55
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RS73-RT
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±0.5%
终止次数
2
温度系数
±25ppm/°C
电阻
2.15 kOhms
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.2W, 1/5W
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
失败率
-
配置
SINGLE
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
220
集电极-发射器电压-最大值
45 V
VCEsat-最大值
0.65 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
环境耗散-最大值
0.2 W
特征
Automotive AEC-Q200
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
评级结果
AEC-Q200
BC857BW RF拓展信息
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor
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