Taiwan Semiconductor BC859AWRF
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BC859AWRF详情
Taiwan Semiconductor BC859AWRF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BC859AWRF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
台湾半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.57
容差
0.1 %
温度系数
50 ppm/°C
电阻
23.2 kΩ
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
军用标准
MIL-PRF-55182
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
125
集电极-发射器电压-最大值
30 V
VCEsat-最大值
0.65 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
环境耗散-最大值
0.2 W
长度
8.89 mm
直径
2.46 mm
BC859AWRF拓展信息








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