Taiwan Semiconductor BZD17C33P R3
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BZD17C33P R3
2436-BZD17C33P R3
二极管 - 齐纳 - 单
--
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Zener Diodes Sub SMA, 800mW, 6%, Zener Diode
1最小包装量--
BZD17C33P R3详情
Taiwan Semiconductor BZD17C33P R3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
表面安装
YES
房屋材料
Polyamide (PA46), Nylon 4/6, Glass Filled
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
位置或引脚数量(网格)
22 (1 x 22)
触点材料 - 配套
磷青铜
触点材料 - 柱子
磷青铜
Contact Finish Mating
Tin
Zz - Zener Impedance
8 Ohms
Pd - Power Dissipation
2.3 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1800
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
Vz - Zener Voltage
35 V
RoHS
Details
Voltage Temperature Coefficient
0.1 %/C
Package Description
R-PDSO-F2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reference Voltage-Nom
33 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZD17C33PR3
Power Dissipation (Max)
0.8 W
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)
1.2 V
Risk Rank
5.67
操作温度
-55°C ~ 105°C
系列
501
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
终端
Wire Wrap
ECCN 代码
EAR99
类型
SIP
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低漏电流
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
1A
间距 - 配套
0.100 (2.54mm)
JESD-30代码
R-PDSO-F2
触点表面处理 - 柱子
Tin
极性
UNIDIRECTIONAL
触点电阻
--
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
测试电流
25 mA
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
6.06%
工作测试电流
25 mA
端子柱长度
0.690 (17.52mm)
间距--柱子
0.100 (2.54mm)
反向电流-最大值
1 µA
齐纳电流
1 uA
动态阻抗-最大值
15 Ω
反向测试电压
24 V
电压温度系数
36.3 mV/°C
特征
--
产品类别
齐纳二极管
触点表面处理厚度 - 配套
200.0µin (5.08µm)
触点表面处理厚度 - 柱子
200.0µin (5.08µm)
材料可燃性等级
UL94 V-0
BZD17C33P R3拓展信息
Taiwan Semiconductor
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