Taiwan Semiconductor BZD27C12P R2
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BZD27C12P R2
2436-BZD27C12P R2
无类别的
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Sub SMA, 1000mW, 6%, Zener Diode
1最小包装量--
BZD27C12P R2详情
Taiwan Semiconductor BZD27C12P R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
引脚数
2
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
包装
卷带
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
800 mW
测试电流
50 mA
齐纳电压
12.05 V
电压允差
5 %
BZD27C12P R2拓展信息







哦! 它是空的。