Taiwan Semiconductor BZD27C200P R2
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BZD27C200P R2
2436-BZD27C200P R2
无类别的
SOD-87
大陆
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Diode Zener Single 200V 6% 1W Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
1最小包装量--
BZD27C200P R2详情
Taiwan Semiconductor BZD27C200P R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOD-87
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Package Description
R-PDSO-F2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
200 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZD27C200PR2
Power Dissipation (Max)
1 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
台湾半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.08
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
BYD77D
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-F2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
速度
Fast Recovery = 200mA (Io)
二极管类型
Avalanche
反向泄漏电流@ Vr
1µA @ 200V
功率耗散
800 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
980mV @ 1A
工作温度 - 结点
-65°C ~ 175°C
测试电流
4 mA
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200V
平均整流电流(Io)
850mA
齐纳电压
200 V
最大电压允差
6%
工作测试电流
5 mA
电容@Vr, F
50pF @ 0V, 1MHz
电压允差
6 %
动态阻抗-最大值
750 Ω
反向恢复时间(trr)
25ns
BZD27C200P R2拓展信息







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