BZS55B8V2 RAG
BZS55B8V2 RAG

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Taiwan Semiconductor BZS55B8V2 RAG

  • 收藏
  • 对比

型号

BZS55B8V2 RAG

utmel 编号

2436-BZS55B8V2 RAG

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE ZENER 500MW 1206

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BZS55B8V2 RAG
BZS55B8V2 RAG Taiwan Semiconductor DIODE ZENER 500MW 1206

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BZS55B8V2 RAG详情

Taiwan Semiconductor BZS55B8V2 RAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Impedance (Max) (Zzt)

    7 Ohms

  • 厂商

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • Product Status

    Obsolete

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Military, MIL-R-10509/7, RN55

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)

  • 容差

    ±0.5%

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    340 Ohms

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.125W, 1/8W

  • 失败率

    --

  • 反向泄漏电流@ Vr

    100 nA @ 6.2 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.5 V @ 10 mA

  • 功率 - 最大

    500 mW

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    8.2 V

  • 特征

    Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety

  • 座位高度(最大)

    --

0个相似型号

BZS55B8V2 RAG拓展信息

1SMB5943
1SMB5943

Taiwan Semiconductor

BZD17C39P
BZD17C39P

Taiwan Semiconductor

1SMB5935
1SMB5935

Taiwan Semiconductor

BZT52B4V7
BZT52B4V7

Taiwan Semiconductor

BZT52B10
BZT52B10

Taiwan Semiconductor

BZT52B20
BZT52B20

Taiwan Semiconductor

BZT52B39
BZT52B39

Taiwan Semiconductor

BZT52B43
BZT52B43

Taiwan Semiconductor

1SMB5951
1SMB5951

Taiwan Semiconductor

1SMA5940
1SMA5940

Taiwan Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z