Taiwan Semiconductor BZT52B11
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BZT52B11
2436-BZT52B11
二极管 - 齐纳 - 单
SOD-123F-2
大陆
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BZT52B11 datasheet pdf and Diodes - Zener - Single product details from Taiwan Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
BZT52B11详情
Taiwan Semiconductor BZT52B11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
包装/外壳
SOD-123F-2
引脚数
2
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
43.6 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Non-Compliant
Zz - Zener Impedance
20 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.09 uA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.000353 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
Vz - Zener Voltage
11 V
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZT52B11
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Risk Rank
5.14
系列
BZT52B
包装
Reel
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
Reach合规守则
compliant
阻抗
20 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
5 mA
正向电压
1 V
齐纳电压
11 V
产品类别
齐纳二极管
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
电压允差
2 %
最大击穿电压
53.6 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
齐纳电流
0.09 uA
最大结点温度(Tj)
150 °C
最小击穿电压
48.5 V
产品类别
齐纳二极管
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
长度
2.7 mm
BZT52B11拓展信息
Taiwan Semiconductor
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