Taiwan Semiconductor BZT52B3V3

包装/外壳

SOD-123F-2

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Zz - Zener Impedance

95 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

4.5 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.000353 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

6000

Part # Aliases

BZT52B3V3 RHG

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

3.3 V

RoHS

Details

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

3.3 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZT52B3V3

Power Dissipation (Max)

0.35 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD

Risk Rank

5.64

系列

BZT52B

包装

Reel

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

测试电流

5 mA

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

2.12%

工作测试电流

5 mA

电压允差

2 %

齐纳电流

4.5 uA

产品类别

齐纳二极管