Taiwan Semiconductor BZT52B47-G
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BZT52B47-G
2436-BZT52B47-G
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SOD-123 410mW 2% Small Signal Zener Diode
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BZT52B47-G详情
Taiwan Semiconductor BZT52B47-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 3 years ago)
Breakdown Voltage / V
51 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 years ago)
Reverse Stand-off Voltage
43.6 V
功率耗散
410 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
2 mA
正向电压
1 V
齐纳电压
47 V
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
最大击穿电压
53.6 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
最小击穿电压
48.5 V
BZT52B47-G拓展信息







哦! 它是空的。