Taiwan Semiconductor BZT52B4V3S R9G
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BZT52B4V3S R9G
2436-BZT52B4V3S R9G
二极管 - 齐纳 - 单
SOD-323F-2
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Zener Diodes 200mW, 2%, Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZT52B4V3S R9G详情
Taiwan Semiconductor BZT52B4V3S R9G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOD-323F-2
型芯材料
Non-Magnetic
RoHS
Compliant
Zz - Zener Impedance
90 Ohms
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.000353 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
BZT52B4V3S
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
If - Forward Current
10 mA
Vz - Zener Voltage
4.3 V
Moisture Sensitivity Levels
1
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZT52B4V3SR9G
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.65
包装
Tape & Reel (TR)
系列
BZT52B4V3S
容差
20 %
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Wirewound
子类别
Diodes & Rectifiers
屏蔽/屏蔽
Unshielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
深度
3.4 mm
Reach合规守则
compliant
额定电流
450 mA
军用标准
Not
配置
Single
电感,电感
47 nH
测试频率
50 MHz
直流电阻(DCR)
300 mΩ
最大直流电流
450 mA
测试电流
5 mA
产品类别
齐纳二极管
直流电
450 mA
电压允差
2 %
自谐振频率
1 GHz
齐纳电流
5 mA
Vf-正向电压
1 V
产品类别
齐纳二极管
宽度
3.2004 mm
高度
3.4 mm
长度
4.4958 mm
座位高度(最大)
3.4036 mm
BZT52B4V3S R9G拓展信息
Taiwan Semiconductor
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