Taiwan Semiconductor BZT52B56

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Non-Compliant

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Breakdown Voltage / V

51 V

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Reference Voltage-Nom

56 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZT52B56

Power Dissipation (Max)

0.41 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

威世半导体

Risk Rank

5.11

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

200 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500 mW

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

2 mA

正向电压

1 V

齐纳电压

56 V

最大电压允差

1.96%

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

工作测试电流

2.5 mA

电压允差

2 %

最大击穿电压

53.6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

动态阻抗-最大值

135 Ω

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V

长度

2.7 mm

高度

1 mm

宽度

1.7 mm