Taiwan Semiconductor BZT52B68S
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BZT52B68S
2436-BZT52B68S
二极管 - 齐纳 - 单
SOD-123F-2
大陆
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Zener Diodes Zener 410mW 2% 68V
1最小包装量--
BZT52B68S详情
Taiwan Semiconductor BZT52B68S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
面板安装
包装/外壳
SOD-123F-2
底架
表面贴装
越来越多的功能
Flange
引脚数
2
触点形状
Circular
外壳材料
不锈钢
插入材料
-
Package
Bulk
Base Product Number
D38999/20KD
Contact Sizes
16 (1), 20 (14)
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Unit Weight
0.000353 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
RoHS
Details
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
43.6 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Part Number
BZT52B68S
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Risk Rank
5.64
操作温度
-65°C ~ 200°C
系列
Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV
包装
Reel
连接器类型
插座外壳
类型
用于内螺纹插座
定位的数量
15
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
紧固类型
Threaded
子类别
Diodes & Rectifiers
触点类型
Crimp
最大功率耗散
200 mW
方向
A
屏蔽/屏蔽
Shielded
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
unknown
外壳完成
Passivated
外壳尺寸-插入
15-15
房屋颜色
Silver
配置
Single
注意
不包括触点
阻抗
240 Ω
元素配置
Single
功率耗散
200 mW
外壳尺寸,MIL
D
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
2 mA
正向电压
1 V
齐纳电压
68 V
产品类别
齐纳二极管
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
包括
-
最大击穿电压
53.6 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
最小击穿电压
48.5 V
特征
防火墙的使用
产品类别
齐纳二极管
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
长度
1.8 mm
材料可燃性等级
-
BZT52B68S拓展信息
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