BZT52C22K
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Taiwan Semiconductor BZT52C22K

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型号

BZT52C22K

utmel 编号

2436-BZT52C22K

商品类别

无类别的

封装

Axial, Can

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SOD-523F 200mW 5% Small Signal Zener Diode

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BZT52C22K Taiwan Semiconductor SOD-523F 200mW 5% Small Signal Zener Diode

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BZT52C22K详情

Taiwan Semiconductor BZT52C22K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Axial, Can

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 表面贴装的焊盘尺寸

    -

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    KEMET

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    63 V

  • Lifetime @ Temp.

    2000 Hrs @ 125°C

  • Breakdown Voltage / V

    51 V

  • Reverse Stand-off Voltage

    43.6 V

  • Manufacturer Lifecycle Status

    ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 系列

    PEG124

  • 尺寸/尺寸

    0.394 Dia x 0.787 L (10.00mm x 20.00mm)

  • 容差

    -10%, +30%

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 应用

    通用型

  • 电容量

    10 µF

  • 最大功率耗散

    200 mW

  • ESR(等效串联电阻)

    5.9Ohm @ 100Hz

  • 引线间距

    -

  • 极化

    Polar

  • 阻抗

    55 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 纹波电流@低频

    76 mA @ 100 Hz

  • 功率耗散

    200 mW

  • 纹波电流@高频

    350 mA @ 5 kHz

  • 最大反向漏电电流

    1 µA

  • 箝位电压

    70.1 V

  • 峰值脉冲电流

    21.4 A

  • 峰值脉冲功率

    1.5 kW

  • 测试电流

    2 mA

  • 正向电压

    1 V

  • 齐纳电压

    22 V

  • 反向恢复时间

    50 ns

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    250 V

  • 最大击穿电压

    53.6 V

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    2.5 A

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 最小击穿电压

    48.5 V

  • 座位高度(最大)

    -

  • 宽度

    900 µm

  • 高度

    700 µm

  • 长度

    1.3 mm

  • 评级结果

    -

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BZT52C22K拓展信息

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