Taiwan Semiconductor BZT52C56

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

包装/外壳

SOD-123F-2

底架

表面贴装

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

BZT52C56

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

Package Description

R-PDSO-G2

Risk Rank

5.15

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-50 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

56 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Zz - Zener Impedance

200 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.045 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.000353 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

56 V

RoHS

Details

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

系列

BZT52C

包装

Reel

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

500 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

200 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500 mW

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

2 mA

正向电压

1 V

齐纳电压

56 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

工作测试电流

2.5 mA

电压允差

5 %

最大击穿电压

53.6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

齐纳电流

0.045 uA

动态阻抗-最大值

135 Ω

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V

产品类别

齐纳二极管

宽度

1.7 mm

高度

1.15 mm

长度

2.7 mm